Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘评测

4KiB随机读取延迟对比：低队列深度下，SSD 710的延迟较低，然而随着队列深度增加，其延迟增长比SSD 520明显要快;SF2281主控内置SRAM，容量不明

4KiB随机写入延迟对比：在1队列深度下，SSD 710的延迟是SSD 520的1.55倍，在256下飙升到10.7倍;测试基于非对齐的重复数据，因此SF2281可以启动其硬件压缩引擎

按照映射表在DRAM Cache中缓冲多寡来分的话，SSD可以分为DRAM完全缓冲、DRAM部分缓冲、DRAM完全不缓冲型，还有一种主机内存完全缓冲型(映射表保存在系统内存中，由驱动维护)。显然，Intel PC29AS21AA0和Intel PC29AS21BA0属于DRAM部分缓冲型，而SandForce SF2281则属于DRAM完全不缓冲型——不过SF2281内置SRAM进行了部分缓冲，两种方案可以看做有些相似。在上面的对比中我们可以看到，Intel的第二代主控延迟表现不甚理想，特别是4KiB随机写入，比SF2281要慢很多。需要说明的是，背后的因素有些复杂，在我们的例子当中，使用的测试数据是重复数据，因此在SF2281硬件压缩引擎的作用下，可以有充分的带宽去读取Flash芯片上的映射表。

第三代Intel SSD主控：PC29AS21CA0，来自Intel SSD DC S3500，Cache容量为1GiB DRAM

到了第三代主控，Intel使用了完全不同的做法：它取消了B-tree使用了一种平面1:1映射表，并完全装载入新的1GiB大容量DRAM当中，因此不再需要动态维护B-tree。因此PC29AS21CA0的随机操作延迟特别是写入延迟理论上会有很明显的降低，此外，延迟的时间不均衡性也会得到降低，Intel宣称SSD DC S3500可以提供75K/11K的4K随机读写延迟，并且提供了一致性的IO延迟——也就是说，提供一致性的IOPS，不会因为长时间的使用或者边界条件而导致很差的性能。

Intel SSD DC S3500的随机读写一致性，Intel保证提供在99.9%的情况下可以达到90%的读IOPS和75%的写入IOPS

完整的数据保护：面向数据中心

使用新的映射表架构的代价是需要针对1GiB容量的DRAM进行掉电保护，Intel的做法和此前没有什么不同，都是采用了大电容来进行保护，不过具体实现不太一样：

Intel SSD 710上的6个KEMET基美的T520系聚合钽贴片电容，规格为6V 470uF

Intel SSD DC S3500上具有两个35V 47uF的NCC(日本化工)Chemi-con KZH系列黑金刚铝电解电容

可见，不知为何，相比SSD 710，SSD DC S3500的储电能力有所下降，这样的变化一定有其原因。

除了掉电保护之外，SSD DC S3500还具有完整的端到端数据保护，包括SRAM Cache、DRAM Cache、Flash NAND等全部都具有ECC保护，并且S3500提供AES-256数据加密保护，而Intel SSD 710和Intel SSD 520都只支持AES-128。

概括

还有一些值得一提的要点是：新的控制器支持SATA 6Gb/s，提供7mm 2.5"和5mm 1.8"两种外形因子，可靠性为200万MTBF小时