Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘评测

上一年年末推出的Intel SSD DC S3700采用的NAND为25nm HET MLC，和之前的SSD 710和SSD 910保持了一致，不过，在很多方面有些新的改进，其具有顶级的性能以及相符合的价格。遗憾的是，我们尚未能拿到测试样品。幸运的是，我们现在拿到了其兄弟版本：SSD DC S3500。不过，S3500并不是S3700的缩水版本，实际上，它和S3700具有截然不同的特性。

Intel SSD DC S3500固态硬盘，20nm MLC，发布日期2013年Q2，代号Wolfsville

首先，DC S3500采用的NAND颗粒明显不同，它基于普通的、不搭载HET技术的MLC芯片，并且，它采用了更进一步工艺的20nm芯片。HET(High Endurance Technology，高耐久技术)是Intel一套包含多种用来增强MLC芯片的耐久性的技术，这预示了S3500的定位和S3700很不相同。进一步地，我们知道随着工艺的提升，NAND芯片的P/E(擦写)次数会有所降低，S3500 20nm工艺的NAND芯片让耐久度进一步降低。

显然，S3500并不擅长写入，实际上，它是用来跟其它产品组成读写搭配的，如果你的应用读写比很高，写入的数据项相对较少的话，那么它只有S3700大约一半的价格将会提供很高的性价比。接下来我们会稍微详细地介绍Intel SSD DC S3500这款产品。

可以概括起来，Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘有两个很鲜明的特点：20nm MLC芯片、Intel第三代主控，此外，还有一个不算非常突出的：完整的保护功能。它们对了解SSD DC S3500的特性表现非常重要，接下来我们将对它们进行分别介绍。

20nm MLC芯片：针对非写入密集应用

Intel SSD DC S3500上面使用的20nm MLC NAND颗粒，型号Intel 29F32B08MCMF2-ES

首先是使用20nm MLC芯片，这很好理解，和前面说过的类似：由于采用了它导致了耐久度的降低(特别低，S3500采用的是普通的MLC而不是Intel的HET MLC)，P/E周期大约为3000次;20nm MLC的优点则是新的工艺带来功耗和成本下降，因此我们可以看到，同等容量DC S3500要比DC S3700便宜不少。作为对比，根据JESD218耐久度规范，800GB的S3700，耐久度为14.6PB，800GB的S3500只有450TB，300GB的SSD 710耐久度也能达到1PB。显而易见，S3500并非面向高强度写入应用。