相变存储器将在NAND不可用时显功力

EMC的闪存高管预计，闪存可能的非易失性接班人之一，相变存储器(phase change memory，简称PCM)将从明年开始出现在存储架构。

相变存储器利用在硫化物材料中的不同阻抗等级，当它们由一种非结晶状态到结晶状态然后再返回。

根据预计，作为NAND的工艺尺寸缩小到15nm左右，工作寿命会显著下降，速度会放缓，并且错误检查和纠正逻辑将变得更加复杂。在这一点上，大体上说希望有一种NAND之后的技术，将提供比闪存更高的芯片密度，速度比闪存更快，接近DRAM(内存)的速度，字节寻址的而不是块寻址，还有更长的工作寿命。这似乎像一个非常高的要求。

IBM、美光(Micron)、海力士(Hynix)和三星都参与了PCM技术，美光科技最近宣布，他们已经开始大规模生产PCM芯片。不过，他们也都参与了其它可能的NAND后续技术。他们没有全神贯注地致力于PCM，并且在构建有足够的容量、速度和存储密度的芯片上出现了问题。尽管存在这些问题，EMC已经看好了PCM。

PCM单元示意图

Zahid Hussain是EMC公司高级副总裁兼闪存产品事业部总经理，他对2013年有两个预测。首先，他预计更多的使用闪存：在2013年，闪存不再是未来游戏规则的改变者——这是现在的标准，在所有的存储架构中无处不在。这并不奇怪。

其次，他补充说：在2013年，我们将看到一个在基于PCM的架构中疾风般的投资活动。通过这种非易失性随机存取记忆体，该行业将开始增加现有产品并提供另一种非常快的存储选项，带有比闪存记忆体技术更低的延迟，开始接近DRAM的速度。

EMC在其VFCache PCIe闪存卡和他们由VFCache卡组成的Project Thunder(雷电计划)机箱上与美光一起工作。或许，美光对于PCM的前景在私下里比公开表现的更积极，并已经发送PCM的消息给EMC。

该公司看上去期待PCM被相当广泛的采纳：“我们将看到一个在基于PCM的架构中狂风骤雨般的投资活动”，Hussain说。

那么，还有谁会跳出来?也许Hussain知道我们不知道的东西——El Reg的猜测是，美光深入地参与并告诉他那里都有些什么。

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