业界最先进工艺亮相 东芝宣布19nm技术

最近，存储企业在工艺升级方面进步明显。DRAM方面，三星率先进入了20nm时代，而最近NAND方面又传来最新消息，东芝已经宣布了自己的19nm NAND闪存制造技术。

该技术目前已经应用在2bpc（即MLC）64Gbit（8GB）NAND闪存芯片上，可用于固态硬盘或智能手机、平板机内置存储等。未来还将应用于3bpc产品，主要用于U盘存储卡等。

东芝的19nm工艺NAND闪存产品支持Toggle DDR2.0标准，可提升传输速度。同时由于工艺提升导致的芯片面积下降，他们可以在同一颗芯片内封装16片64Gbit 闪存，实现单芯片128GB容量，面向智能手机、平板机产品。

东芝19nm工艺2bpc（MLC）64Gbit NAND闪存将于本月底推出样品，今年三季度实现量产。

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