最牛3D闪存驾到 手机/平板/SSD迎新高峰近日，SanDisk和东芝公司宣布，他们正在制造256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线，预计明年出货新芯片。 本文关键字： 3D闪存 近日，SanDisk和东芝公司宣布，他们正在制造256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线，预计明年出货新芯片。
3D NAND 去年，东芝公司和SanDisk宣布了合作建立新的晶圆厂，称他们将使用该设施专为生产3D“V-NAND”闪存晶圆。
闪存生产线 新的256Gbit闪存芯片，它采用纳米15光刻工艺技术，适用于多种应用，包括消费类固态硬盘，智能手机，平板电脑，存储卡和固态硬盘的企业数据中心。 SanDisk闪迪公司执行副总裁、主管存储技术的Siva Sivaram博士表示："我们很高兴地宣布我们首款量产3D NAND芯片的发布。它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片，采用我们业内领先的48层BiCS技术1开发，展现了SanDisk闪迪在X3技术领域的持续领先地位。我们将基于该芯片，为我们的客户交付卓越的存储解决方案。"
BiCS 3D-NAND BiCS是一个非易失性存储器架构，旨在为基于闪存的设备提供更高的存储密度、可扩展性和性能。与常规的2D NAND相比，BiCS NAND存储器还将具备更好的写/擦耐久力、更快的写入速度和更高的能效。 SanDisk闪迪的256 GB X3 BiCS芯片可广泛应用于各类消费者、客户端、移动和企业级产品，预计将于2016年开始应用于SanDisk闪迪的产品中。 目前市场上有多家厂商都已经推出了3D闪存，但是技术并不完全相同，东芝、闪迪联合的3D闪存叫做BiCS3DNAND(BitCostScaling)，堆栈层数达到了48层，核心容量为128Gb，而三星第一代V-NAND堆栈层数才24层，目前的第二代是32层堆栈，Intel、美光的3DNAND也是32层堆栈，不过他们的核心容量是256Gb，TLC类型则可以做到384Gb核心。 除了堆栈层数最多之外，东芝、闪迪的BiCS3D闪存号称在所有3D闪存芯片中核心面积最小，15nm的平面NAND中东芝闪存也是核心面积最小的。 责编：何鹏  微信扫一扫实时了解行业动态 著作权声明：kaiyun体育官方人口
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