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英特尔发布一款高速NVMe闪存卡

来源： ZDNet

2014/6/4 16:55:41

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英特尔已经利用NVMe技术生产出三款速度极为惊人的PCIe闪存卡——此举很可能在PCIe闪存卡市场中掀起又一轮波澜。

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本文关键字：英特尔 NVMe 闪存卡

英特尔已经利用NVMe技术生产出三款速度极为惊人的PCIe闪存卡——此举很可能在PCIe闪存卡市场中掀起又一轮波澜。

英特尔DC P3700

NVMe是一种非易失性内存的标准访问方式，它的出现意味着主机操作系统只需要配备单一标准驱动程序、而不再必须为每一种受支持的PCIe闪存卡提供特殊的驱动程序。SATA Express就是NVMe的具体实施方案之一。

目前英特尔的NVMe产品家族拥有三位成员，它们分别是DC P3700、P3600以及P3500。三者的存储容量最高可达2TB，随机读取IOPS最高为46万。大家可以通过下面这份图表对其速度及其它基本参数有所了解：

英特尔DC P3n00 PCIeNVMe闪存速度与读写能力

这三款 SSD都采用四个PCIe 3.0（相当于每秒4GB传输能力）接口，并由英特尔20纳米MLC闪存芯片构成。它们借助18条通道由英特尔控制器进行操作，并具备五年的有限质保周期。在使用寿命方面：

●DC P3700支持总计36.5 PB数据写入量，每天可写满驱动器全盘十次（单位缩写为DWPD）；

●DC P3600支持总计10.95 PB数据写入量，每天可写满驱动器全盘三次；

●DC P3500支持总计1 PB数据写入量，每天可写满驱动器全盘0.3次。

总而言之，三款闪存产品在速度与读写能力方面还是相当出色的。

那么它们与其它同类PCIe闪存卡相比结果如何呢？也就是来自Fusion-io、美光、三星、希捷/Avago/LSI以及东芝的产品。

三星XS17150与Mikey Micron P520 PCIe系列都拥有现役NVMe产品；我们曾在去年七月的一篇文章中将它们与一款HGST产品进行过兼容性测试。

NVMe性能图表（柱状图形仅代表随机读取IOPS）

这份图表的内容还不够明确。我们选择的是随机读取IOPS作为比较项目，但目前世界上只有两家制造商实际生产NVMe卡，分别是英特尔与三星。因此我们还加入了美光、LSI以及Fusion-io的PCIe闪存卡产品、希望能在一定程度上作出比较。所有闪存卡的容量都在1.4TB以上。

其中美光P420M卡传输速度最快，达到75万IOPS；三星的XS1715则紧随其后，IOPS为74万。接下来出场的就是英特尔的三款NVMe产品了，然后是LSI（即将归入希捷）XP6210与Fusion-io的ioScale，二者的表现明显与前面几位差出了一大截。美光的P420M用实际表现证明，NVMe机制对于闪存卡的读取响应速度而言根本不算是必要的提升手段。

根据我们掌握的情况，美光正在着力打造其P520M NVMe闪存卡。如果属于非NVMe产品的P420M都能在现有比拼中胜出，相信新方案很可能一举突破上代方案的性能极限。

我们期待着希捷/LSI与Fusion以及其它所有PCIe闪存卡制造商都能及时迈向NVMe新时代。

AnandTech网站发布了一份关于英特尔全新DC P3n00 NVMe闪存卡的评测报告，感兴趣的朋友可以点击此处进行查看。

三款产品的价格（制造商建议零售价）如下：400GB容量P3700为1207美元，400GB容量P3600为783美元，而400GB容量P3500为599美元。

责编：李玉琴