Tegile技术发展轨迹:混合闪存中纳入全闪存功能

来源: 至顶网
2014/3/20 13:56:39
Tegile公司首席技术官Rajesh Nair表示,未来将有两款系统:一款在几个月内推出,另一款在2014年年底推出。第一款与现有高端HA2800属于同一家族,具有以下特点。

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本文关键字: Tegile 混合闪存 存储

混合阵列初创公司Tegile即将推出一套新的系统,在混合架构内提供全闪存阵列功能。

Tegile公司首席技术官Rajesh Nair表示,未来将有两款系统:一款在几个月内推出,另一款在2014年年底推出。第一款与现有高端HA2800属于同一家族,具有以下特点:

- 上层有高达20TB的eMLC闪存

- 第二层现有的混合架构,有大约20%的高速闪存层以及120个硬盘驱动器(150TB)

两个新的闪存存储块分别有不同的提供商,并且分别采用19纳米和22纳米NAND闪存。Nair表示,这是一个移动的目标,也就是说,未来可能采用其他闪存制程工艺。目前采用的闪存技术有5年的耐用性,写入超过3.5PB。随着更大容量驱动器的推出,耐用性将延长至7年。

Nair还补充说,在不久的将来Zebi阵列总容量将提升至500TB:“很可能我们将采用HGST的He6驱动器。我们正在考虑……他们的成本现在已经很接近近线企业级SAS驱动器。”他说,也许Tegile将愿意为一个切实可行的溢价买单。

我们可能猜想一下这款系统是Zebi HA2800,添加了单独的20TB闪存层——我们认为采用的是19纳米闪存——可以为事务处理型数据库这样的应用保存整个工作中的数据集,从而为有需要的工作负载提供全闪存加速。Nair表示,与其远离这样的工作负载,把业务拱手让给全闪存阵列厂商,还不如Tegile利用一款产品以及在混合阵列方面的优势去争夺这部分业务。

客户通常会需要性能优化的全闪存阵列以及单独针对容量进行优化的存储,他们将拥有一款提供了这两种模式的Tegile阵列。

通过这样一款Zebi HA2800,将会有两个active:active控制器,一个专门用于全闪存层,另一个专门用于混合层。

第二款新系统将在2014年年底面市,用低延迟、双端口的2.5英寸PCIe固态盘取代现有的固态盘。双端口是为了满足高可用性的需求。这款系统中80%的驱动器将是SAS接口硬盘,其他是PCIe固态盘。

Nair认为,从现在开始的未来一年中PCIe固态盘将得到普及。这款Zebi系统将有两家PCIe固态盘提供商。美光、东芝以及三星都有PCIe固态盘业务,西数和SanDisk是Tegile的投资者。

这项技术“否定了Violin和Skyera在构建他们自己PCIe交换机上的投资”。

他认为,这种PCIe固态盘使得服务器ULLtraDIMM技术局限于只有那么1%的市场。

他还认为,双通道SAS接口将发展到4通道,带宽翻一番至24Gbit/s,而且延迟更低,他认为这将在年底发生。

Nair简要地谈到了一些竞争对手:

- Nimble Storage闪存功能是作为一个读取层,没有重复数据删除

Tintri闪存功能可同时作为读取层和写入层,重复数据删除只针对固态盘,而不针对磁盘驱动器

- Tegile在阵列带内重删所有数据

- NetApp的重复数据删除是后处理的

- EMC VNX也是一样

期待看到Nimble Storage和Tintri是否会采用类似的路线图,在他们的系统中包含全闪存阵列功能。如果他们这么做了,那么对全闪存阵列厂商的压力也将施加给混合阵列厂商,全闪存阵列市场可能会萎缩。向他们的操作系统加装混合的多层功能,也许会存在一些问题。

责编:王雅京
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