TLC NAND可以打入闪存到闪存备份业务

在昨天的VMworld巴塞罗那大会上，Violin的共同创始人和首席技术官Jon Bennett确认了三级单元(TLC)闪存一个潜在的企业角色：闪存到闪存备份。TLC目前被视为纯粹的消费电子技术。

三星已经宣布了第一个TLC NANDSSD。但是TLC NAND有一个更短的工作寿命，大约500 – 750编程/擦除(P/E)周期，使其不适合估计需要编程-擦除周期至少为2500和以上的企业级闪存存储。

Bennett认为，TLC闪存可用于备份，不是因为它可以缩短备份窗口，而是因为它相比基于磁盘的备份系统恢复时间是非常快的。

他认为，企业备份改变的数据，就是每天大约5%至10%的系统数据写入备份中。根据他的计算，这等同于一年30次完整的设备写入，1,000 PE周期的TLC产品，能够给你三到四年的工作寿命，这足够好了。

Bennett提醒我们，企业使用D2D(磁盘到磁盘)备份系统，相比磁带通常大大加快了恢复时间。

工作寿命短不会有问题，因为写入速度低：“每天仅有5%至10%的系统数据备份，而TLC的耐久度是可以的。...到TLC的备份时间应该会更短，但恢复速度是重要的地方。恢复是随机的，不像(备份)摄取，这就是真正的好处。磁盘存储系统的恢复时间从小时缩短到分钟级别，能够为企业带来实实在在的好处。”

我们能够看到在现有闪存阵列内部的一个备份TLC闪存层吗？“你将会有备份到闪存产品。如果它是在阵列中的备份到闪存，那它就不是一个备份，它在同一阵列中——这不是保护。”基本上，如果阵列出现故障时，备份也会随着它出现故障吧。

Bennett说：“我们还可能看到TLC用于近线存储形式。”他强调这些技术愿景，并没有Violin在技术上使用TLC闪存，或者TLC产品在其路线图上的承诺。这仅仅是一位CTO关于技术的思考。

尽管如此，关于F2F，SLC和MLC闪存到TLC闪存备份，也许有一个专注于闪存的初创厂商在某处考虑着另一个Data Domain。

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