|
IBM铺平32nm新工艺之路早在今年1月29日,IBM和索尼、东芝等研究伙伴就宣布开始投入“高电介质金属栅极”(High-K Mental Gate)的研究。今天,用于下一代32nm工艺计算机芯片的这种材料技术已经研发成功,预计2009年下半年可投入实用,使AMD、特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星等合作伙伴受益无穷。 IBM的工程师在业界首次使用了一种称为“高电介质先加工栅极”(High-K Gate-First)的新工艺,可以确保更简单、更省时的转向高电介质金属栅极技术,从而提高性能、降低功耗。从桌面、无线消费设备中的低功耗计算机微芯片,到企业计算和3D游戏所需的高性能微处理器,IBM的新工艺新材料都有自己的用武之地。 在纽约East Fishkill生产工厂的实验室里,IBM已经确认他们的新工艺可以让芯片的功耗降低45%,同时运行电压更低。IBM指出,这相当于现有芯片的速度可籍此提升30%。 不仅使理论上获得了成功,IBM还展示了使用CMOS工艺成功生产的首个新型SRAM芯片(见附图),单元尺寸0.15平方微米。更进一步地,IBM表示他们SOI工艺部署也已基本完成,为批量生产多核心处理器铺平了道路。 显然,IBM的这一努力是对Intel基于铪元素的高电介质金属栅极技术的回应。经过多年的研究,Intel已经开始在45nm处理器中全面应用这种新技术,并声称可将栅极漏电降低到原有水平的十分之一,同时降低30%的功耗、提升30%的性能。 不过与Intel不同,IBM的新技术会跳过45nm,等到32nm时再开始使用,因此实际产品可能要到2010年才会面世。作为IBM的合作伙伴,AMD此前曾表示他们仍在研究再45nm工艺中引入高电介质金属栅极方案的可能性。
责编: 微信扫一扫实时了解行业动态 微信扫一扫分享本文给好友 著作权声明:kaiyun体育官方人口
文章著作权分属kaiyun体育官方人口
、网友和合作伙伴,部分非原创文章作者信息可能有所缺失,如需补充或修改请与我们联系,工作人员会在1个工作日内配合处理。 |
最新专题 推荐圈子 |
|