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Silicon Motion SSD控制器预计TLC闪存芯片将迎来增长Silicon Motion正积极图谋利用其于本周闪存存储峰会上发布的最新SSD控制器进一步加快上述趋势。该公司表示，其商用SM2256每秒6Gbit SSD控制器支持1x/1y/1z TLC NAND，不仅是该类别中的首款产品、而且建立在其去年发布的初代SATA 3 SSD控制器的容量基础之上。 随着三级单元（简称TLC）NAND普及程度的稳步提高，Silicon Motion公司正积极图谋利用其于本周闪存存储峰会上发布的最新SSD控制器进一步加快上述趋势。该公司表示，其商用SM2256每秒6Gbit SSD控制器支持1x/1y/1z TLC NAND，不仅是该类别中的首款产品、而且建立在其去年发布的初代SATA 3 SSD控制器的容量基础之上。 Silicon Motion公司美国SMI副总裁兼总经理Robert Fan表示，SM2256的设计目的在于利用其客户端设备为大量TLC NAND提供支持——其中包括3D NAND，并计划借此帮助OEM厂商获取包括固件在内的完整软件包、从而不断向市场投放新的TLC NAND SSD产品。他强调称，这项新型控制器技术将有助于降低TLC NAND SSD产品价格，从而使其应用在更为广泛的客户端设备之上——其中包括目前仍普遍使用传统磁盘驱动器的笔记本设备。 今年早些时候IHS Technology发布了一份报告，调查发现目前HDD市场由于智能手机与平板设备的快速崛起而陷入困境，这种状况也在一定程度上给消费级PC市场带来了影响。不过SSD市场仍在持续增长，这要归功于近来出现的SSD成本下降外加超级本与超薄式PC设备所引发的闪存驱动器使用热潮。 TLC NAND方案面临的关键性挑战之一在于使用寿命，就这一问题Fan表示可以利用合理的控制器技术成果加以解决，而这反过来都会进一步促进TLC NAND的普及。SM2256控制器当中包括该公司的NANDXtend技术，根据他的说法，该技术能够为TLC NAND带来三倍于初始水平的P/E生命周期、同时克服了其在耐用性及数据保留方面的短板。 在性能方面，SM2256的连续读取能力可达每秒524Mb，连续写入能力则可达每秒400Mb，而随机读取与随机写入则分别可达9万IOPS与7万IOPS。Fan表示SM2256的完整设计工具如今已经正式推出，其中包括一份控制器数据表、评估方案、原理图以及固件。该产品也能支持客户的自定义固件。Silicon Motion预计使用SM2256控制器的闪存产品将于明年年初与广大用户见面。 Objective分析公司首席分析师Jim Handy指出，Silicon Motion目前在对应市场区划中拥有极具吸引力的定位，这主要是考虑到希捷已经收购了LSI、而Marvell也受到了相当程度的认可。尽管Silicon Motion并没有在建立之初就迈入SATA SSD控制器供应商阵营，但该公司自去年开始已经开始冲击这一市场，并依靠自身在USB设备控制器方面的丰富经验为TLC产品推广与使用体验改进提供辅助，他解释称。 Handy表示，他曾在一年前预计TLC将迎来普及度提升，并指出这样的成长轨迹与MLC闪存颇为相似——后者当初也曾被认为无法胜任客户机SSD的可行方案。然而在找到了市场突破口之后，MLC最终还是取得了进军企业级市场的途径。他认为TLC将遵循同样的发展路线——在不久的将来被应用为客户机SSD，并最终出现在企业设备当中。当然，这一切在未来一到两年中恐怕还无法实现。 与此同时，内存供应商们正积极寻求改进NAND整体成本竞争力的办法。举例来说，美光公司正在推进其16纳米TLC路线图，并预计将在今年年底时拿出16纳米TLC产品的示范性组件——基于客户机的TLC SSD则将在2015年春季面世。三星曾于2012年秋季公布过采用TLC机制与21纳米制程技术的64 Gbit NAND闪存产品，并于2013年5月公布了采用10纳米级别制程技术以及128 Gbit TLC NAND芯片的高级NAND闪存设备。 责编：李玉琴  微信扫一扫实时了解行业动态 著作权声明：kaiyun体育官方人口
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