Intel年底将推34纳米固态硬盘 容量320G

根据英特尔最新公布的路线图显示，在2009年下半年，英特尔的固态硬盘产品将全面转入34nm生产工艺，届时其容量会提高到320GB。

自2008年英特尔涉足SSD固态硬盘领域，之后推出了针对家庭和企业级市场的不同速度和容量的固态硬盘。而到了去年11月24日，英特尔更是联合美光公司宣布基于34nm制造工艺技术的32Gbit MLC型NAND闪存已开始量产。双方以在合资公司IM Flash Technologies(IMFT)开发的制造技术，生产可集成于48引脚TSOP(薄型小尺寸封装)的单片结构闪存芯片。

根据计划，面向企业级的X25-E会最先升级到34nm，不过由于采用了更快的SLC芯片，其容量只有64和128GB，但这也比目前的容量翻了一倍。其他型号如X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC将会从50nm NAND芯片升级到34nm，容量将从80/160GB升级到80/160/320GB三种容量。

除了工艺改进、容量翻番，新款固态硬盘的控制器也会升级，性能也会更好。Intel也还将在2010年第一季度推出Turbo Memory技术的升级版“Braidwood”，将配合Q57/P57/H57等新一代芯片组为桌面级PC带来性能提升。