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IBM更新FlashSystem 900全闪系统 性能不变容量大幅提升
IBM FlashSystem 900把原IBM FlashSystem 840使用的eMLC换成了Micron MLC，IOPS、延迟、带宽等参数基本保持不变。
IBM的全闪存品牌FlashSystem已经从840/V840升级到了900/V900，因其与美光的紧密合作关系该产品采用的是MLC闪存，从而在性能和可靠性方面都有了很好保证。
V9000我们在这里介绍过了，我们虽然觉得应该有9000但是没有找到相关信息，作为840的升级版他一定会有，只是少了个数字，变成了FlashSystem 900。
在一份公开文件中IBM对采用了FPGA芯片的控制器设计，交叉背板，硬件纠错和MicroLatency闪存模块这几点着重做了介绍。
文件提到新产品可以“在更小的机架空间里提供四倍于EMC XtremIO闪存产品的容量”，很显然IBM新产品的宣布为全闪存阵列市场增加了一位新的有力竞争者。
搜集公开的数据后我们在下图中做一个简单的对比：
FlashSystem 840 与 900 对比
首先最明显的我们看到V900增加了40%的可用容量，从840的41TB变成现在的58TB。但是读延迟稍微有所增加，从原来的135微秒增至155微秒，读带宽也从8GB增至10GB。
在4K数据块下两款产品都保持了110万读取和60万写入IOPS。
FlashSystem 900
新旧两套产品在性能上没有较大变动，主要就是增加了容量。
IBM与美光付出了许多努力并取得了卓越成效，最终把原来的eMLC替换成了MLC NAND，它有着较低的基础性能表现和高可靠的特性。
美光把修整过的闪存介质提供给IBM，IBM把工程特性加入到控制技术中，这样一来，新系统的就能在保持原有性能表现的同时又有着更高的可靠性（目前尚没有看到耐用性方面的数据），当然还有更大的容量空间。
840是一年前与V840一起推出的产品，随后在2014年8月，又推出了数据服务相关的IBM SVC。
在840推出一年后的今天又有了900，这一系列产品更新速度很快。
IBM FlashSystem V9000 与 V840
在V9000与V840的比较中我们看到，可用的内部空间从320TB增长到了456TB，而性能参数上，延迟，IOPS和带宽没有任何改动。
简而言之，新旧系统的性能没有什么差别，区别主要就是容量的提升。
随着对美光闪存的采用以及与美光的战略合作关系的推进，未来或许会推出采用3D NAND或者TLC NAND介质的存储产品，当然，这也得仰赖美光在相关技术上研发取得新的重大发展才行。
目前尚没有价格信息，我们也不能提供任何关于价格和性能比率信息，跟IBM渠道部的人聊聊XtremIO 你可以得到一张折扣清单。
责编：李玉琴
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