掷地有声的惊世之作：IBM展示154TB磁带

IBM与富士胶卷已经公布一款154TB LTO磁带库的演示方案，并将在未来十年内正式投放市场。

尽管这一容量水平低于索尼的185TB，但凭借着自身强大的磁带合作关系网、IBM完全有机会将索尼一举逐出角斗擂台。

索尼开发的解决方案拥有每平方英寸148Gb的存储密度，这意味着其磁带设计成果足以在无需压缩技术的辅助下实现185TB容量。IBM则一直与富士胶卷公司对现有钡铁磁带进行改进，并最终实现了每平方英寸85.9Gb的优秀成绩。

IBM方面表示，其研究人员已经开发出：

新的强化写入区头技术能够使用更为精细的钡铁氧化物颗粒。

先进的伺服控制技术能够让磁头实现纳米级别的准确定位，从而允许新方案的轨道密度达到现有LTO6格式的28倍。

新的信号处理算法使运行状态更为可靠，同时配备极为精密的90纳米磁巨阻磁头（简称GMR）读取机制。

来自苏黎世的IBM研究人员们自2002年开始就一直在与富士胶卷通力合作，旨在将磁带存储密度推向新的高度。直到 2012年，我们才接触到125TB磁带项目，其单位存储密度为每平方英寸100Gb。2010年，拥有35TB原始容量的磁带首次得到证实——相比之 下，如今的LTO-6磁带库只提供21.5TB原始容量。

存储密度的步步提升依赖于更加小巧的磁性颗粒、更狭窄的磁轨（意味着同样尺寸的磁带中能够容纳更多磁轨）再加上更优秀的读取：写入磁头以完成以这些磁轨为核心的读出写入操作。在此次公布的154TB展示方案中，读取磁头的宽度仅为90纳米。

INSIC 2012至2022年国际磁带存储路线图第51页图表修改版

感兴趣的朋友可以点击此处并前往第51页查看这份图表的原始版本（PDF格式）。

IBM公司的研究人员自信能够利用溅射介质进一步突破每平方英寸85.9Gb存储密度水平，但他们表示“只有低成本颗粒介质的潜力被充分发挥之后”才转向这条道路。

索尼的185TB磁带研究项目确实使用了溅射介质与“一套全新真空薄膜成形系统，能够将纳米晶层均匀地铺成厚度不足5微米的单层。”

溅射是一种处理工艺，即让来自原料源片的原子飞溅并射向真空空间内的靶（基片）原料处，过程中源片需要受到高能粒子的轰击。这种自由原子会对首先触及的表面进行侵蚀。

IBM公司在声明中提供了一份图片，可以看到这项全新磁带技术将于2024年投放市场。

评论

我们的观点：配备LTO连接机制，IBM研发的这项技术能够有效对抗索尼公布的令人印象深刻的185TB磁带存储方案。预计再经过一系列LTO容量迭代，我们很可能在LTO-22中实现154TB这一革命性成绩。

不过如果IBM所提供的图表及其2024发展数据准确无误，那么LTO迭代（一般来说每三十个月换代一次）将带来超过双倍的容量提升。

由此推论可知：如果磁带密度能够每三十个月实现容量倍增，那么它的密度发展步伐将把磁盘远远甩在身后、并成为归档存储介质的不二选择。

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