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SK海力士推出四层式闪存设计方案

来源： ZDNet存储

2014/4/30 9:54:34

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DRAM与闪存代工厂商SK海力士计划于今年年底将3D NAND产品投入指化生产，与此同时美光科技也打算在2015年下半年拿出自己的3D量产化产品方案。

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本文关键字： SK海力士闪存四层式

DRAM与闪存代工厂商SK海力士计划于今年年底将3D NAND产品投入指化生产，与此同时美光科技也打算在2015年下半年拿出自己的3D量产化产品方案。

通过在芯片结构当中添加多个当前作为主流机制的平面单元（也就是2D NAND）层，这种新型NAND芯片能够在无需进一步降低闪存单元尺寸的前提下实现存储容量提升。

如果采用缩小单元尺寸的方式，那么闪存芯片的工作寿命（也就是耐用性）将严重下降、而出错率则随之上升。SanDisk日前刚刚公布了15纳米工艺（即1Z），此前该公司及其代工合作伙伴东芝一直在使用19纳米（即1X）单元尺寸。

三星打造的 SSD产品同样采用19纳米技术。SK海力士则于2013年年末开始全面生产16纳米闪存芯片。

美光预计今年上半年将推出16纳米SSD产品。尽管步入16纳米俱乐部有助于美光在存储容量方面占得先机，但目前该公司乃至整个存储行业都不太可能在短时间内转向15纳米以下单元尺寸阵营，这主要是考虑到规模化生产可能带来的相关难题。

也就是说，现阶段最理由的解决方案是在不增加芯片自身尺寸的前提下通过堆叠多个平面层增加芯片存储容量，而这正是3D NAND的基本思路。看起来在高密度2D NAND技术取得突破性进展之前，3D NAND可以被视为目前最理想的闪存容量提升方式。

责编：李玉琴

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