新工艺导致SSD寿命性能双退步

关于SSD固态硬盘的可靠性，对于一般的用户来说也许没有那么高需求，然而实际上我们早在去年年末的一篇《固态硬盘发展之殇：渐行渐远的企业存储方案》中，对SSD的发展提出了质疑。这么发展的结果，势必造成企业级固态硬盘的行业标准被迫降低，甚至基于SSD固态硬盘的存储方案都要面临全面改变和调整。 该文主要是针对TLC闪存颗粒，因为TLC闪存颗粒已经在低端存储产品中广泛应用，并且在P/E周期甚至不足500次的情况下，就已经被引入 SSD中，这样的SSD固态硬盘可靠性必然得不到保障。作为SSD固态硬盘的重要厂商三星，也只是在低端SSD中引入TLC芯片，而在针对企业级的SSD 840PRO中依然使用MLC。 问题是，MLC就没问题了吗?MLC也有问题

存储芯片的电压演进 在此前的文章中已经讲过存储芯片寿命降低的缘由：随着SLC—MLC—TLC的进化，存储颗粒能够在基本不增加晶体管规模的情况下实现容量翻倍，但代价是操控存储单元的电压也从2种变成了4种(MLC)、8种(TLC)，频繁切换指令给晶体管承受的电流冲击亦变本加厉，导致故障率猛增。从道理上来说，和反复开关家用电器会影响使用寿命的原理是差不多的。 这样发展下去的结果是TLC的下一代——已经实物化了的QLC要依据16种电压规格进行写入操作，其寿命短到只能作为一次性存储器使用。

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