日立数据推出最高容量300TB闪存阵列

Hitachi Data Systems宣布推出针对Virtual Storage Platform阵列的闪存存储托盘，使用它自己开发的闪存控制器。

它被称为Hitachi Accelerated Flash，使用每单元2比特的非易失性记忆体。它的控制器是多核芯片，管理的是闪存记忆体晶片而不是固态驱动器。

HDS负责基础设施平台产品管理的执行副总裁Roberto Basilio声称该芯片提高了多层单元(MLC)闪存的耐擦除性，并使它的性能像单层单元(SLC)闪存，后者的速度要比MLC快：“结果就是带来如今市场上最低单位比特成本的企业级MLC闪存解决方案”。

该闪存承载6.4TB到76.8TB之间的数据。一个8U机架底盘最多可以承载4个这样的闪存产品，提供至多307.2TB的闪存容量来加快VSP的IO。它还完全兼容VSP的动态分层，让热数据可以自动迁移到闪存上，而冷数据则存储在VSP的磁盘上。

阵列的所有其他功能，比如外部虚拟化，仍然和以前一样。该控制器提供在线压缩功能。HDS副总裁Hu Yoshida表示这个功能“可以将闪存记忆体上的物理写入次数降低至多94%”。

Hitachi Accelerated Flash

Yoshida今年9月的博客上讨论了该控制器的设计。

HDS声称，和400GB MLCSSD相比，该闪存的硬件拥有四倍的性能，耗电更少，空间要求更少，同时每比特成本也更低。我们还了解到HAF将会被阵列控制器看作一个记忆体层。用户仍然可以在阵列的标准驱动器机箱内安装SSD——如果他们愿意的话。

我们被告知一个得到闪存增强的VSP阵列预计可以有80万次随机读取IOPS(每秒输入输出)的性能。HAF的记忆体耐久性可以达到10年。

Basilio建议新的闪存模块用于在线交易数据库、企业资源规划软件、金融数据、元数据和索引编制应用程序。言下意：“在你的VSP阵列中使用这个闪存模块，你就不用再购买Violin Memory、Pure Storage或任何其他厂商的纯闪存阵列了。”

HDS表示作为闪存战略的一部分未来还将有更多的发布。HDS的闪存战略横跨“服务器、存储和设备，旨在带来计算能力的提升，用于高速缓存和高性能存储媒介使用情境”。

HAF是VSP中的一个闪存层而不是高速缓存。日立暗示它的性能超过存储阵列(比如EMC的VMAX)中使用的SSD、MLC甚至可能SLC。这还需要观察。

该设备和Violin Memory在磁盘阵列中作为闪存层的产品很相近。我们也许会看到日立下回将这个闪存模块从VSP中拿出来并作为一个网络连接纯闪存阵列。如果愿意的话，它可以使用现有的8U底盘来这么做，而且将需要在设备上搭配操作系统软件来让它表现得像一个网络存储资源——比如，像VSP OS Lite这样的东西。

日立没有提供HAF的价格，不过Yoshida告诉我们说“价格差不多四倍于高性能SAS HDD(硬盘驱动器)”，毫无疑问，比Violin的价格低。

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