东芝SanDisk合资24nm NAND闪存晶圆厂开张

东芝、SanDisk(闪迪)今天联合宣布，双方共同投资的300毫米NAND闪存晶圆厂“Fab 5”正式开张，投产24nm工艺闪存芯片。

Fab 5位于日本四日市三重县，由东芝、SanDisk 2010年9月联合投资成立的Flash Forward, Ltd.公司负责运营，双方分别持有50.1％、49.9％的资本，员工300多人。该工厂于2010年破土动工，2011年3月份完工，如今正式投入量产，并计划在8月份出货第一批晶圆。

Fab 5是东芝的第三座300毫米晶圆厂，目前开始投产的是24nm NAND闪存工艺，这也是业内目前最先进的闪存制造工艺技术，2010年8月份首次投入量产。Fab 5未来还会转向更先进的工艺，比如下一站就是19nm。

Fab 5厂区总面积18.7万平方米，建筑面积3.8万平方米，主体是一栋五层大楼，双层钢筋混凝土加高级防震结构。通过LED照明和节能制造设备等措施，Fab 5预计将会比Fab 4减少12％的二氧化碳排放量，同时水循环系统也与Fab 3、Fab 4连接在一起，进一步保证高效生产。

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